主要用途 主要用于集成电路、半导体元器件、光电子器件、光学器件研制和生产。由于本机找平机构*,找平力小,使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光,而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光。
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主要功能特点 1.曝光类型:双面对准单面曝光; 2.曝光面积:210×210mm;
3.曝光照度不均匀性:≤5%;
4.曝光强度:≥10mw/cm2可调;
5.紫外光束角:≤5˚;
6.紫外光中心波长:365nm;
7.紫外光源寿命:≥2万小时;
8.曝光分辨率:3μm;
9.曝光模式:可选择一次曝光或套刻曝光;
10.显微镜扫描范围:X:±40mm Y:±30mm;
11.对准范围:X、Y粗调±3mm,细调±0.3mm;Q粗调±15°,细调±3°;
12.对准精度:正面≤2μm,反面3~5μm;
13.分离量;0~50μm可调;
14.接触-分离漂移:≤2μm;
15.曝光方式:密着曝光,可实现硬接触、软接触和微力接触曝光;
16.找平方式:三点式自动找平;
17.显微系统:
1)正面对准采用双视场CCD立式显微镜,总放大倍数45X~300X(物镜放
大倍数1.1X~7.5X连续变倍),双物镜可调距离11mm~200mm。扫描范围:X±40mm,Y±35mm;
2)反面对准采用双视场CCD卧式显微镜:总放大倍数120X(物镜放大倍数4X),双物镜可调距离22mm~70mm;
3)两种显微镜共用一套计算机图像处理系统;
18.掩模版尺寸:7″×7″、8″×8″、9″×9″;
19.基片尺寸:φ6、φ7、φ8;
20.基片厚度:≤6mm;
21.曝光定时:0~999.9秒可调;
22.对准方式:切斯曼对准机构。
23.曝光头转位:气动;
24. 电源:单相AC220V 50HZ ,功耗≤1KW;
25.洁净空气压力:≥0.4MPa;
26.真空度:-0.07MPa~-0.09MPa;
27.尺寸: 1020mm(长)×780mm(宽)×1600mm(高);
28.重量:约190Kg。
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